Zgodovina razvoja LED
Odkritje luminiscence polprevodniškega PN spoja sega v dvajseta leta prejšnjega stoletja. Francoski znanstvenik OWLossow je prvi opazil ta pojav luminiscence, ko je preučeval detektorje SiC. Zaradi omejitev priprave materiala in tehnologije naprav v tistem času to pomembno odkritje ni bilo hitro izkoriščeno. Dokler štirideset let kasneje, z napredkom materialov skupine III-V in tehnologije naprav, so ljudje končno uspešno razvili svetlečo diodo GaAsP s praktično vrednostjo, ki oddaja rdečo svetlobo, ki jo je GE množično proizvajal kot indikator instrumentov. Od takrat so se zaradi nadaljnjega razvoja raziskav GaAs, Gap in drugih materialov ter tehnologije naprav poleg temno rdečih LED na trgu v velikem številu pojavile tudi LED naprave, vključno z oranžno, rumeno, rumeno-zeleno in drugimi barvami.
Zaradi različnih razlogov imajo LED-naprave, kot sta Gap in GaAsP, nizek svetlobni izkoristek, jakost svetlobe pa je običajno pod 10 mcd, kar se lahko uporablja samo za prikazovanje v zaprtih prostorih. Čeprav material AlGaAs vstopi v območje indirektnega skoka, svetlobna učinkovitost hitro pade. Z napredkom polprevodniških materialov in tehnologije naprav, zlasti z naraščajočo zrelostjo epitaksialnih procesov, kot je MOCVD, sta Nichia iz Japonske in Cree iz Združenih držav Amerike v zgodnjih 1990-ih uporabila tehnologijo MOCVD v epitaksialnih rezinah LED na osnovi GaN s strukturami naprav. uspešno gojijo na substratih iz safirja in SiC, izdelane pa so bile modre, zelene in vijolične LED naprave z visoko svetlostjo.
Pojav LED naprav z ultra visoko svetilnostjo je odprl izjemno sijajne možnosti za širitev področij uporabe LED. Prvi je, da se zaradi povečanja svetlosti uporaba LED naprav premakne iz notranjih prostorov na zunanjost. Tudi pri močni sončni svetlobi lahko te LED-cevi na ravni cd še vedno svetijo močno in barvito. Trenutno se pogosto uporablja pri zunanjih zaslonih z velikim zaslonom, prikazovanju statusa vozila, semaforjih, osvetlitvi ozadja LCD in splošni razsvetljavi. Druga značilnost ultra-svetlih LED je podaljšanje valovne dolžine oddajanja. Pojav naprav InGaAlP razširi emisijski pas na kratkovalovno rumeno-zeleno območje 570 nm, medtem ko naprave na osnovi GaN dodatno razširijo emisijsko valovno dolžino na zelene, modre in vijolične pasove. Na ta način LED naprave ne le naredijo SVET barvit, temveč omogočajo tudi izdelavo polprevodniških virov bele svetlobe. V primerjavi s klasičnimi svetlobnimi viri so LED naprave hladni svetlobni viri z dolgo življenjsko dobo in nizko porabo energije. Drugič, LED naprave imajo tudi prednosti majhne velikosti, trdnosti in vzdržljivosti, nizke delovne napetosti, hitre odzivnosti in enostavne povezave z računalniki. Statistični podatki kažejo, da je v zadnjih petih letih dvajsetega stoletja trg aplikacij visokosvetilnih LED izdelkov ohranil stopnjo rasti več kot 40 odstotkov. Z okrevanjem SVETOVNEGA gospodarstva in začetkom projekta bele razsvetljave se domneva, da bo proizvodnja in uporaba LED dosegla večji vrhunec.
